產(chǎn)品介紹
電阻蒸鍍是在（超）高真空條件，采用片狀或絲狀的鎢、鉬、鉭等高熔點金屬做成一定形狀的蒸發(fā)源（電阻元件），利用大電流通過蒸發(fā)源所產(chǎn)生的焦耳熱，對蒸發(fā)材料進行直接加熱蒸發(fā)，或將膜料放入耐高溫材質的坩堝中進行間接加熱蒸發(fā)，并在襯底表
面成膜的真空蒸鍍工藝。
面成膜的真空蒸鍍工藝。
電阻熱蒸鍍技術是歷史最悠久的P V D鍍膜技術之一。通常適合熔點低于1500℃的金屬薄膜的制備。
主要技術參數(shù)：
1）襯底尺寸：10mm*10mm、2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸
2）襯底個數(shù)：單片或多片可選
3）沉積均勻性優(yōu)于±5%@4英寸(100mm)襯底
4）襯底加熱溫度室溫至1200℃（單片），控溫精度±0.1℃，旋轉速率0-40rpm
5）根據(jù)蒸發(fā)材料的不同，多種坩堝形式、坩堝數(shù)量及電源功率可選
6）蒸發(fā)本底真空：高真空（10-8 Torr量級）或超高真空（10-10 Torr量級）可選
7）QCM膜厚在線監(jiān)控
8）與手套箱集成可選
